Neanche il tempo di metabolizzare in pieno i benefici del 5G, sempre più realtà a livello globale (ben 150 nuove reti 5G create nel 2020 in 59 paesi, in Cina il 68% degli smartphone è dotato della nuova tecnologia), che in Asia si pensa a come sviluppare il 6G. 
Un team di ricerca di un’università sudcoreana, la Kyungpook National University, ha sviluppato un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) da 738 GHz, per potenziali applicazioni nelle reti 6G.
5G e oltre. “Aumentare anche i 30 GHz è stato davvero difficile”
Il team guidato dal professor Kim Dae-hyun del College of IT Engineering della Kyungpook National University ha sviluppato, dunque, HEMT, acronimo di high-electron-mobility transistor, superiore a 30 GHz rispetto al record precedente di 700 GHz in frequenza.
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Kim, in uno stralcio di un’intervista a TheElec, sperava che il transistor potesse essere utilizzato per il 6G o “oltre il 5G” e applicazioni di calcolo quantistico.
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L’HEMT è stato sviluppato in collaborazione con i ricercatori della società di telecomunicazioni giapponese NTT e della società sudcoreana Quantum Semiconductor International (QSI). Il loro documento è stato pubblicato il 18 dicembre all’IEEE International Electron Devices Meeting 2020.
Kim sostiene che il team ha ottimizzato vari processi dei dispositivi e i materiali utilizzati, grazie all’utilizzo di arseniuro (composto binario dell’arsenico con un metallo), indio (metallo raro, malleabile e basso-fondente, affine all’alluminio) e gallio (tenero, fragile, di colore argenteo).
“Il precedente record di 700 GHz è stato annunciato dieci anni fa da un gruppo di ricerca a Taiwan – continua Kim – circa due o tre anni prima era stato annunciato 688 GHz, sette-otto anni dopo il record precedente. Questa sequenza temporale mostra che aumentare anche i 30 GHz è stato davvero un compito molto difficile”.
Per ora il 5G domina la scena. Ma il transistor con in test il 6G, probabilmente, utilizzerà principalmente chip a 300 GHz, che prenderanno in considerazione la frequenza di taglio, la logica e la dispersione di potenza nei gate e gli amplificatori correlati.
“Un dispositivo semiconduttore ottimizzato che soddisfa tutti questi criteri per 300GHz finirà sotto le luci della ribalta”. Parola di Kim.
Il professore ha stimato che ci vorrebbero almeno dieci anni prima che i chip RF saranno in grado di elaborare tale frequenza, e vengano installati sui telefoni dei consumatori. Ma già il pensiero al 6G, è un pensiero stupendo.
